Avancerade anläggningar Effektiv produktion(1) omvänd strömmen av kiseldiod är mycket mindre än de germanium dioden. Germanium röret är klassen mA och kisel röret är nA nivå. Detta beror på att i samma temperatur ge ni handlar om tre tiopotenser högre än kisel ni, så under samma dopning koncentration kisel Jane koncentrationer mindre än Jane av germanium koncentration, så kisel röret omvänd mättnad nuvarande är mycket liten.
(2) när framspänning är mycket liten, nuvarande av diod är mycket små, och endast efter framspänning når ett visst antal din, nuvarande kommer att öka avsevärt. Normalt spänningen din kallas en diod plasttransistorn, även känd som en död zon spänning eller plasttransistorn. Tröskelvärde för spänningen i en kiseldiod är större än tröskelvärdet spänningen av germanium diod eftersom det är kisel av diod är långt mindre än av germanium diod. Tröskelvärde för spänningen i allmänna kiseldiod är ca 0.5V ~ 0.6v och tröskelspänningen av germanium diod är ca 0.1V ~ 0.2v.